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El transistor PUISSANCE CAS120M12BM2 del CREE Semiconductor es un módulo de alimentación de 2 transistores con una tensión de ruptura de 1200 V para una corriente de 138A (90C), un ultra baja resistencia (13m), una velocidad de conmutación rápida y una rápida recuperación inversa. El CAS120M12BM2 integra 12 2da generación de alta tensión de SiC (carburo de silicio) MOSFET de potencia muere con una corriente de 23A (90C) de 10 mm cuadrados, y 24x diodo-Z Rec de 4,8 mm cuadrados están integrados en el módulo de potencia. El diodo-Z Rec es una mezcla entre un Schottky y la unión de diodo de barrera. El segundo MOSFET generación tiene un nuevo diseño de puerta, un contacto óhmico más sofisticado y un sustrato más delgado, la comparación entre el 2 generación está haciendo en el informe. System Plus Consulting está publicando una inversa cuesta informe sobre este módulo. Sobre la base de un análisis completo de desmontaje, el informe proporciona una estimación del coste de producción del paquete de CAS120M12BM2, carburo de silicio del transistor MOSFET y el diodo de barrera Schottky. Análisis Análisis CAS120M12BM2 Física Física Metodología paquete Vistas Dimensiones Die Vista, dimensiones grabadas de guardia de anillo sección representativa Puerta de sustrato y Epitaxia Las capas, las características de la parte trasera del MOSFET Comparación primera y segunda generación Die Vista, dimensiones grabadas anillo de protección, la sección representativa del sustrato y del Epitaxia capas de la parte trasera del diodo características de fabricación por procesos Unidad final de Flujo Panorama mundial MOSFET de frente, análisis de Procesos Módulo de Transistores Unidad final de diodo frente de flujo, flujo del proceso del diodo Proceso Proceso módulo de alimentación de fluido y flujo Síntesis de los principales pasos de análisis de costos de análisis económico rendimientos Hypothses MOSFET Epitáxico costo MOSFET front-end costo MOSFET MOSFET oblea Coste Coste por proceso de los pasos MOSFET. Servicios de fondo. sonda y
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